Ana sayfa - Ürün:% s - Transistör - Mosfet transistör - Ayrıntılar

P-Kanal Gücü MOSFE

MOSFET FDD4141

Soruşturma göndermek

Download

Açıklama

FDD4141 veri sayfası:

FDD4141 Ürün detayları
Genel açıklama

Bu P-Kanalı MOSFET, uygulamalarda üstün performans avantajı sağlamak için düşük rDS(açık) ve optimize edilmiş Bvdss yeteneği sağlamak için Fairchild Semiconductor'ın tescilli PowerTrench® teknolojisi kullanılarak üretilmiştir. ve dönüştürücü/invertör uygulamalarında güç dağılımı kayıplarını azaltan optimize edilmiş anahtarlama performansı kapasitesi.

Özellikler

Maks rDS(açık)= 12.3mΩat VGS= -10V, ID= -12.7A

Maks rDS(açık){{0}}.0mΩat VGS= -4.5V, ID= -10.4A

Son derece düşük rDS(açık) için yüksek performanslı hendek açma teknolojisi

AEC Q101'e uygun

RoHS Uyumlu

FDD4141